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[发明专利]提高直拉单晶拉速的装置-CN201910556405.6有效
发明人：丁亚国;梁万亮;马国忠;顾燕滨;河野贵之 -专利权人：宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高直拉单晶拉速的装置，属于单晶硅生产设备技术领域。包括导流筒及撤热组件，所述撤热组件安装于所述导流筒的上方，通过热辐射或者热传导的方式对所述导流筒进行降温。本发明技术方案实现在所述撤热组件远离单晶炉的热场的状态下，与固液界面发生热量交换，降低固液界面处温度，从而提高直拉单晶的拉速，提高直拉单晶拉速则大幅度节约的电耗。同时，由于所述撤热组件距离单晶炉热场较远，一则所述撤热组件受到热场的热应力有限，降低所述撤热组件泄漏概率，二则一旦泄漏发生，能够及时通过单晶炉内的氛围变化判断发现，及时停炉，降低事故率。
提高直拉单晶拉速装置

[发明专利]拉速调整方法、装置、电子设备及存储介质-CN202111398575.X在审
发明人：郭力;张伟建;李广砥;杜婷婷;王正远;杨正华;武高峰 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种拉速调整方法、装置、设备及介质。该方法包括：在本次直拉单晶过程中，获取调温阶段和引晶阶段中晶体长度达到第一预设长度之前的特征数据，将特征数据输入拉速预测模型，根据特征数据，由拉速预测模型生成引晶阶段中晶体长度达到第二预设长度时的预测拉速，根据预测拉速和预设拉速范围，对功率进行调整，以调整在本次直拉单晶过程的放肩阶段之前的拉速到预设拉速范围内，使得引晶阶段中晶体长度达到第二预设长度时的拉速能够提前被预测，并据此对拉速进行调整，使拉速能被调整到预设拉速范围内
调整方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种直拉法硅单晶新型扩肩方法-CN202111152823.2在审
发明人：景吉祥;李雪峰;高润飞 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提供一种直拉法硅单晶新型扩肩方法，包括：实时检测单晶长度和单晶直径，计算所述单晶实际斜率；将所述单晶实际斜率与所述单晶最优斜率范围进行对比，若所述单晶实际斜率在所述单晶最优斜率范围内，则所述单晶的实际拉速为设定拉速；若所述单晶实际斜率不在所述单晶最优斜率范围内，则所述单晶的实际拉速发生变化，为拉速系数z×所述设定拉速，直至所述单晶扩肩完成。本发明的有益效果是在现有逻辑基础上增加扩肩斜率判断，将设定斜率与实时斜率进行范围的比对，能够快速准确的显示出炉内单晶扩肩的真实情况，并且根据实际情况进行拉速的调整，提高整体单晶的成活率，解决目前进行扩肩工艺时存在滞后性，导致单晶扩肩成活率低的问题。
一种直拉法硅单晶新型方法

[发明专利]提高直拉单晶硅拉速的装置及方法-CN201610732992.6在审
发明人：王军磊;尚伟泽;刘伟;武志军;刘学;夏梓铭 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高直拉单晶硅拉速的装置包括圆筒状的冷却机构、冷却介质进管、冷却介质出管；提高直拉单晶硅拉速的方法包括如下步骤：(1)准备，(2)加热化料，(3)中间处理，(4)等径，(5)收尾及后处理本发明的优点在于，本发明的优点：利用惰性元素冷却介质气化吸热的原理，增加单晶硅棒的轴向温度梯度，使单晶硅拉速提高20％以上，由于未改变热场系统的上部保温等机构，因此没有额外的能耗增加；惰性元素冷却介质回收利用，降低了单晶硅生产成本；使用的惰性元素冷却介质为液氦或液氩，不与硅熔体发生反应，不会对热场部件造成影响，较常规方法较为安全，提高了单晶硅生产的安全性。
提高单晶硅装置方法

[发明专利]用于单晶硅生长过程控制的智能PID控制方法及其系统-CN200810239837.6有效
发明人：焦建耀 -专利权人：北京太克易航科贸有限公司
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：鉴于常规PID控制器难以对单晶硅的生长过程进行有效的控制，特提供一种适用于各种直拉式单晶硅生长设备的智能PID控制方法及其控制系统。该方法中，首先对单晶硅晶体的生长过程进行监控，采集单晶硅的直径与预定直径的偏差；根据单晶硅直径与预定直径的偏差，基于模糊控制理论进行分类，根据分类后的直径偏差计算对拉速进行控制所需的积分分量和微分控制分量，对拉速进行控制；根据拉速与预定拉速的偏差，基于模糊控制理论进行分类，根据分类后的拉速偏差计算对温度进行控制所需的积分分量和微分控制分量，对温度进行控制。
用于单晶硅生长过程控制智能 pid 方法及其系统

[发明专利]一种直拉法生产单晶中收尾阶段单晶收放趋势的判断方法-CN202011609839.7在审
发明人：张欢;连庆伟;李超;王雅楠;吴志强;崔彬;姜舰 -专利权人：有研半导体材料有限公司;山东有研半导体材料有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C30B15/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉硅单晶收尾阶段单晶收放趋势的判断方法，包括以下步骤：(1)按照所生产单晶直径的1‑1.3倍预算出收尾长度，结合勾股定理算出收尾的两个角度为63°和69°，根据两个角度分别计算不同长度段内的重量随长度变化斜率，绘制出理论重量随长度变化曲线图；(2)通过单晶炉客户端获得收尾部分任意位置A和重量B；通过单晶炉客户端获得收尾部分位置A下的位置C和重量D；计算位置A到位置C的重量随着长度的变化斜率α＝(D‑B)/(C‑A)；(3)将理论重量随长度变化曲线图划分成提高拉速区、拉速维持区、降低拉速区，将α放入理论重量随长度变化曲线图中，实时调节拉速。采用本发明能够及时有效的判断出单晶收放趋势，正确的调节拉速，提高单晶的完好率。
一种直拉法生产单晶中收尾阶段单晶收放趋势判断方法

[发明专利]直拉硅单晶的收尾方法及直拉硅单晶的制备方法-CN201710094187.X有效
发明人：王思锋;潘永娥;潘得俊 -专利权人：宁夏协鑫晶体科技发展有限公司
申请日： 2017-02-21 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种直拉硅单晶的收尾方法，其包括如下步骤：S1、将炉温的设置参数调大至预定的收尾温度，并控制晶体等径生长；S2、在炉温的设置参数调大后的20～30min后，控制并降低埚升为1～3mm/hr，使晶体进入第一段收尾生长；S3、在第一段收尾生长结束后，将晶体的拉速降低，同时控制坩埚静止，使晶体进入第二段收尾生长；S4、在第二段收尾生长结束后，将晶体的拉速提高到所述第一段收尾生长时晶体拉速的90％～120％，使晶体进入第三段收尾生长上述直拉硅单晶的收尾方法，减小晶体收尾长度，增大等径部分长度，成品率高，材料浪费少。另其收尾时间短，节约成本。本发明还公开了一种直拉硅单晶的制备方法。
直拉硅单晶收尾方法制备

[发明专利]一种太阳能级直拉单晶硅的生产方法-CN201410644510.2在审
发明人：刘彬国;何京辉;曹祥瑞;颜超;程志;黄瑞强;周子江;刘钦;范晓普 -专利权人：邢台晶龙电子材料有限公司
申请日： 2014-11-14 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能级直拉单晶硅的生产方法，涉及直拉单晶硅技术领域，它包括加料、熔化、稳温、引晶、放肩、等径生长和收尾等八个步骤，本方法在引晶过程中，将等径自动初始拉速设为0.8mm/min，该方法操作简便，易于实现，它可以有效减少结晶过程中可能出现的晶体缺陷，降低直拉单晶硅中的黑芯片和黑角片问题，显著提高单晶的质量和寿命，避免由于产品质量缺陷造成的退货，为企业节约了不必要的资金浪费。
一种太阳能级单晶硅生产方法

[发明专利]一种直拉单晶补掺合金的工艺方法-CN201810995349.1在审
发明人：王建平;杨志 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种直拉单晶补掺合金的工艺方法，包括以下步骤：s1：籽晶与溶体熔接，熔接后进行降温；s2：测量溶体液面温度，当液面温度达到扩肩温度后，以恒定拉速向拉晶相反方向提升，进行扩肩。本发明的有益效果是使得在直拉单晶过程中补掺合金更加方便，采用与拉晶方向相反的方向进行提升扩肩，使得扩肩上部具有一定斜度，掺杂的合金不易脱落。
合金直拉单晶拉晶熔接恒定斜度方向相反掺杂的体液拉速溶体液面籽晶测量

[发明专利]一种直拉法硅单晶扩肩过程中计算埚升速度方法-CN202111155178.X在审
发明人：景吉祥;李雪峰;高润飞 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提供一种直拉法硅单晶扩肩过程中计算埚升速度方法，包括：测量坩埚的内径；实时测量所述单晶的直径值以及所述单晶的拉速；通过所述单晶实时拉速、所述单晶的实际直径值以及所述坩埚的内径得到所述坩埚的实时提升速度本发明的有益效果是在扩肩过程中通过实时测量单晶的实际直径值和实际石英坩埚的内径，再配合单晶实时拉速的变化，来计算坩埚的提升速度，使坩埚提升的速度等于实际晶体提出而造成液面和热屏下降的速度，保证液面距的一致
一种直拉法硅单晶扩肩过程计算升速方法

[发明专利]直拉法生产18吋太阳能用硅单晶的热场装置-CN200910032626.X无效
发明人：施海明;陆景刚;张锦根;鄂林 -专利权人：镇江环太硅科技有限公司
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明涉及18吋太阳能用硅单晶片的生产设备，具体是一种用直拉法生产硅单晶的生产设备中的直拉法生产18吋太阳能用硅单晶的热场装置。本发明可以保证在拉晶时有较高的拉速，较好的固液界面形状，气体在装置内的分布合理，有利于太阳能用单晶在较高的拉速下生长，获得平坦的固液界面。
直拉法生产 18 太阳能用硅单晶装置

[实用新型]直拉法生产18吋太阳能用硅单晶的热场装置-CN200920042951.X无效
发明人：施海明;陆景刚;张锦根;鄂林 -专利权人：镇江环太硅科技有限公司
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及18吋太阳能用硅单晶片的生产设备，具体是一种用直拉法生产硅单晶的生产设备中的直拉法生产18吋太阳能用硅单晶的热场装置。本实用新型可以保证在拉晶时有较高的拉速，较好的固液界面形状，气体在装置内的分布合理，有利于太阳能用单晶在较高的拉速下生长，获得平坦的固液界面。
直拉法生产 18 太阳能用硅单晶装置

[实用新型]一种新型直拉单晶用冷却装置-CN201921655822.8有效
发明人：武志军;高润飞;张文霞;郭谦;霍志强;韩凯;王胜利;张石晶;景吉祥;赵志远;康学兵;宋瑞强 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种新型直拉单晶用冷却装置，包括内导和外导，内导设于外导的内部，还包括：用于提升内导和外导的提升装置，提升装置与内导连接，且提升装置可相对于内导转动；用于控制内导与外导紧固和脱离的旋转装置本实用新型的有益效果是应用于直拉单晶时使用，具有提升装置和旋转装置，能够实现内导与外导的相对移动和同时移动两种状态，提升直拉单晶时的生长拉速，降低化料工时，提升单晶品质，降低单晶制造生产成本。
一种新型直拉单晶用冷却装置

[发明专利]一种通过监控直拉单晶硅转肩直径自动调节拉速的方法-CN202111626097.3在审
发明人：崔维学;鲁强;李永博;李钊;盖晶虎;崔彬;姜舰 -专利权人：山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过监控直拉单晶硅转肩直径自动调节拉速的方法，该方法筛选单晶转肩形状较好的直径数据，作图进行拟合，得到拟合函数并将该函数内嵌至PLC中；根据CCD相机测量直径与函数给出直径差值，通过自动调整拉速，拉速灵敏性通过调整PID参数进行控制，根据实际转肩直径与预定直径符合程度通过调整PID参数来控制拉速，反复几次即可调整出合适PID参数，实现转肩过程自动调节拉速。本发明的方法可以实现转肩过程的拉速自动调控，提高转肩的成功率和过程的可重复性。本发明的方法可以实现自动转肩过程，无需人为操作，避免因人为操作对单晶拉制过程造成的影响，明显降低了人员操作强度，提高了生产效率，增加了产量，降低人工成本。
一种通过监控单晶硅直径自动调节方法

[发明专利]获取硅单晶最佳拉速以制备高BMD密度12英寸外延片的方法-CN202210364769.6在审
发明人：黄飞;周迎朝;武卫 -专利权人：中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种获取硅单晶最佳拉速以制备高BMD密度12英寸外延片的方法，该方法在拉制单颗单晶的过程中逐步降低拉晶速率，通过比较不同速率下拉制的单晶外延片热处理后的BMD密度来确定适合的拉晶速率。该实验工艺包括以下步骤：S1、首先采用直拉法在磁场下逐步降低拉晶速率制备12英寸重掺硼硅单晶棒；S2、然后将单晶棒依次进行线切、倒角、减薄、抛光、清洗处理，得到抛光片；S3、在抛光片表面外延生长单晶硅；S4、对不同拉速下得到的单晶的抛光片和以其为衬底制备的外延片进行热处理；S5、测量热处理后抛光片和外延片的BMD密度，并通过对比和分析得出实验结果。
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